*可替代的包装
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
40V
1.8A (Ta)
195 毫欧 @ 1A, 8V
1.2V @ 1mA
1.1nC @ 4.2V
130pF @ 10V
500mW
*
*
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
MIC59150YME TR
DSEI2X61-02A
TLC1549IP
NC7SZ175P6X