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SIR662DP-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：PowerPAK® SO-8
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：6.143
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    60V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    60A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    2.7 毫欧 @ 20A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    96nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    4390pF @ 30V

  • 功率 - 最大值

    104W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK

  • 产品描述备注

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