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IXTP1R6N100D2

  • 厂家：IXYS
  • 封装：TO-220AB
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：12.950
  • 类型：FET - 单
  • PDF：IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    耗尽模式

  • 漏源极电压 (Vdss)

    1000V（1kV）

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1.6A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    10 欧姆 @ 800mA，0V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    27nC @ 5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    645pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    100W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

  • 产品描述备注

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